清华副校长薛其坤个人资料背景遭起底

薛其坤，1963年12月出生于山东省临沂市，材料物理专家，中国科学院院士，中国科学院物理研究所研究员、清华大学教授，现为清华大学分管科研的副校长。1980年9月考入山东大学光学系，1984年7月毕业到曲阜师范大学物理系任教。1994年获得中国科学院大学物理研究所获理学博士学位。1999年8月回国到中国科学院物理研究所工作，1999年9月至2005年9月任中国科学院表面物理国家重点实验室主任。

2000年9月加入中国共产党。2005年5月到清华大学物理系工作，2005年11月当选中国科学院院士，2006年12月任物理系副主任，2010年7月任理学院院长、物理系主任。2013年3月任校长助理、科研院院长、理学院院长、物理系主任。5月任清华大学党委常委、副校长。2017年1月，获得未来科学大奖“物质科学奖”，奖金100万美金。2017年1月，在未来论坛2017年会，颁发未来科学大奖“物质科学奖”；同月被评为2016年度最具影响力的十大“科技创新人物”。

薛其坤主要研究方向为扫描隧道显微学、表面物理、自旋电子学、拓扑绝缘量子态和低维超导电性等。研究工作主要涉及利用扫描隧道显微镜、高/低能电子衍射、光学探针以及各种表面分析手段研究各种金属、半导体表面晶体结构/化学性质、异/同质结薄膜外延和低维纳米结构的生长动力学和控制。在微电子工业上具有广泛用途的化合物半导体GaAs和GaN生长表面的两维晶体结构、光学性质以及相关异质结外延中应力释放问题、InAs/GaAs量子点的形成机理和稳定性、纳米团簇的生长、C60/C84/C70在半导体上的薄膜生长等研究中做过比较系统的工作。主要研究兴趣包括稀磁半导体的分子束外延生长和自旋注入、低维纳米结构的磁性和在自旋电子学中的应用、量子效应对低维纳米结构电子性质的影响（比如催化）等。

长期从事超薄膜材料的制备、表征及其物理性能研究。开展了第二代半导体薄膜GaAs、InAs/GaAs量子阱（点）、宽禁带半导体GaN和ZnO 薄膜生长动力学研究, 发展完善了III-V族化合物半导体表面再构的基本规律；开展了半导体Si衬底上金属超薄膜量子尺寸效应的研究，定量建立了金属薄膜体系量子效应和材料性能间内在联系，发现了薄膜热膨胀系数、功函数、超导转变温度等的量子振荡现象；开展了有序纳米结构的自组织生长研究，发明了若干原子尺度精确控制生长技术，解决了异质外延生长纳米有序结构的难题。研制了几套低温生长及原子尺度原位检测装置。

薛其坤发表SCI论文300余篇（包括3篇science、3篇nature physics、30篇Phys. Rev. Lett.、1篇PNAS、40余篇Phys. Rev. A/B、40余篇Appl. Phys. Lett.和4篇英文特邀综述文章或书章节），文章被引用3900多次（两篇代表性文章PRL94和PRL95分别被引用215次和126次）。

在国际会议上应邀做大会/主题/特邀报告100余次，其中四次在美国物理学会年会做邀请报告。

从20世纪80年代开始，有关“量子霍尔效应”的研究已数次斩获诺贝尔奖。但关于这一家族中的“量子反常霍尔效应”，却一直进展缓慢，全世界的物理学家都在苦苦探索。2013年，中国科学院院士、清华大学副校长薛其坤带领他的研究团队，在国际上首次实现了“量子反常霍尔效应”。

清华大学物理系和中科院物理所联合组成的团队在实验中首次发现量子反常霍尔效应，这被著名物理学家杨振宁称之为“诺贝尔奖级”的科研成果。

在凝聚态物理中，量子霍尔效应占据着极其重要的地位。整数量子霍尔效应和分数量子霍尔效应的实验分别发现于1985年和1998年，获诺贝尔物理学奖。这次中国科学家首次在实验上观测到的量子反常霍尔效应，被认为可能是量子霍尔效应家族最后一个有待实验发现的成员。为实现这一基础科学领域的重大突破，以清华大学薛其坤院士领衔的团队花费整整四年时间。

从1992年读博士起，薛其坤就一直从事薄膜生长动力学的系统研究，至今已累积了20余年的经验，他因此获得两项国家自然科学二等奖。在他的指导下，科研团队仅用三四个月时间就在国际上率先建立了拓扑绝缘体薄膜的分子束外延生长动力学，实现了对样品生长过程在原子水平上的精确控制，薄膜样品质量很快达到了国际领先水平。